Тема №7 Радиационные воздействия на полупроводниковые изделия и имс

ТЕМА №7

Радиационные воздействия на полупроводниковые изделия и ИМС.

1. Общая черта разных видов радиации. Радиационные воздействия способны вызвать как незамедлительную (секундную), так и накапливающуюся реакцию полупроводниковых устройств и ИМС. Посреди имеющихся разных видов излучения Тема №7 Радиационные воздействия на полупроводниковые изделия и имс самую большую опасность для устройств представляют массивные электрические излучения и частички больших энергий. Все излучения, распространяющиеся в вакууме со скоростью света, именуются электрическими. Полный диапазон электрических обхватывает очень широкий спектр длин волн: от 10-ов Тема №7 Радиационные воздействия на полупроводниковые изделия и имс тыщ метров до тысячных толикой нанометра. Очень сильное воздействие на приборы оказывает рентгеновское излучение и палитра – лучи. Электрическое излучение в спектре длин волн именуют рентгеновским. Палитра – лучи появляются при ядерных реакциях и Тема №7 Радиационные воздействия на полупроводниковые изделия и имс при переходе ядер из возбужденного состояния в невозбужденное .

Для количественного описания рентгеновского и палитра – излучения используют такие физические величины, как доза и мощность излучения. Источники и уровни радиации описываются Тема №7 Радиационные воздействия на полупроводниковые изделия и имс экспозиционной дозой излучения, представляющей собой количество излучения, создающее средством ионизации в одном килограмме сухого атмосферного воздуха заряд, равный одному купону каждого знака. В качестве единицы экспозиционной дозы принята физическая величина, именуемая кулон Тема №7 Радиационные воздействия на полупроводниковые изделия и имс на килограмм . Для описания интенсивности излучения применяется физическая величина, именуемая мощностью экспозиционной дозы, представляющая собой приращение экспозиционной дозы в единицу времени. Единица измерения – ампер на килограмм приравнивается мощности излучения, передающего сухому атмосферному воздуху дозу излучения Тема №7 Радиационные воздействия на полупроводниковые изделия и имс за секунду. В ряде всевозможных случаев для описания экспозиционной дозы применяется внесистемная единица, именуемая рентген, равная , а для описания интенсивности излучения – рентген за секунду .

Потоком ионизирующих частиц именуется физическая Тема №7 Радиационные воздействия на полупроводниковые изделия и имс величина, равная числу частиц, падающих на данную поверхность в единицу времени. Единицей потока частиц является секунда в минус первой степени , равная сгустку ионизирующих частиц, при котором через данную поверхность в течение одной секунды проходит одна Тема №7 Радиационные воздействия на полупроводниковые изделия и имс частичка. Плотностью потока ионизирующих частиц именуется физическая величина, равная отношению потока ионизирующих частиц, проникающих в объем простой сферы, к площади поперечного сечения этой сферы. Единицей плотности потока является величина , равная плотности равномерного Тема №7 Радиационные воздействия на полупроводниковые изделия и имс потока ионизирующих частиц, при которой через поверхность , перпендикулярной к сгустку, за секунду проходит одна частичка.

В современной практике обширное распространение получила внесистемная единица, именуемая интегральным потоком частиц, представляющая собой Тема №7 Радиационные воздействия на полупроводниковые изделия и имс произведение плотности потока на время экспозиции и имеющая размерность .

К источникам излучения относят:

2. Воздействие проникающей радиации на электрофизические характеристики начальных материалов. Движение заряженных частиц большой энергии в веществе сопровождается ее потерей, затрачиваемой практически на сто процентов на возбуждение связанных электронов. Энергия свободного электрона может быть Тема №7 Радиационные воздействия на полупроводниковые изделия и имс хоть какой, если он оказывается вне атома, либо приобретает дискретные значения, если он не отрывается от атома, а только перебегает в возбужденное состояние. В жестких телах, к примеру в полупроводниках и диэлектриках Тема №7 Радиационные воздействия на полупроводниковые изделия и имс, по аналогии с газами имеет место внутренняя ионизация, которая соответствует переходу валентных электронов в зону проводимости. Средняя энергия ионизации при облучении электронами составляет в кремнии 3,6эВ, в арсениде галлия 7,2эВ, в германии 2,86эВ Тема №7 Радиационные воздействия на полупроводниковые изделия и имс.

При содействии палитра – излучения с веществом имеют место в главном три механизма его поглощения и рассеяния: фотоэффект, комптон – эффект и образование электронно-позитронных пар.

При фотоэффекте квант палитра – излучения воздействия с одним из электронов Тема №7 Радиационные воздействия на полупроводниковые изделия и имс оболочки атома, стопроцентно передает ему энергию и выбивает его за границы атома. Вылетающий электрон обладает энергией, равной разности энергии поглощенного кванта палитра – излучения и энергии связи электрона в атоме Тема №7 Радиационные воздействия на полупроводниковые изделия и имс. В итоге происходит образование свободного состояния на соответственном энергетическом уровне электрической оболочки. На этот свободный уровень может перейти электрон с более высочайшего энергетического уровня с испусканием характеристического излучения. Таким макаром, при фотоэффекте палитра – квант Тема №7 Радиационные воздействия на полупроводниковые изделия и имс исчезает, а его энергия расходуется на выбивание из атомов фотоэлектронов и образование характеристического излучения.

Комптоновское рассеяние палитра – квантов имеет место в этом случае, если энергия квантов палитра – излучения, взаимодействующего с веществом, на много Тема №7 Радиационные воздействия на полупроводниковые изделия и имс превосходит энергию связи электрона в атоме. При комптоновском рассеянии происходит упругое взаимодействие палитра – кванта и электрона. При всем этом палитра – квант теряет часть энергии и изменяет направление движения, а энергия, переданная электрону Тема №7 Радиационные воздействия на полупроводниковые изделия и имс, расходуется на отрыв его от атома и придание ему скорости (кинетической энергии). .

При содействии палитра – кванта с кулоновским полем ядра проявляется эффект образования электронно-позитронных пар. В итоге такового Тема №7 Радиационные воздействия на полупроводниковые изделия и имс взаимодействия палитра – квант вполне теряет свою энергию, при всем этом появляется пара частиц позитрон – электрон. Данный эффект может наблюдаться при энергии палитра – квантов превосходящей суммарную энергию покоя электрона и позитрона, равную 1,02МэВ. .

В итоге Тема №7 Радиационные воздействия на полупроводниковые изделия и имс ионизации под воздействием излучения, концентрация неосновных носителей в полупроводниковом материале может возрасти на несколько порядков. (В и поболее раз). В реальных биполярных полупроводниковых устройствах и ИМС ионизирующее излучение с мощностью дозы около , может Тема №7 Радиационные воздействия на полупроводниковые изделия и имс вызвать ионизационные токи в несколько ампер. Возникновение этих токов в устройствах приводит к перераспределению потенциалов, перегреву и термическому пробою назад смещенных переходов.

Кроме эффектов ионизации в жестких телах под Тема №7 Радиационные воздействия на полупроводниковые изделия и имс воздействием высокоэнергетических частиц появляются радиационные недостатки, под которыми понимаются более либо наименее устойчивые нарушения структуры, возникающие в кристаллах. Теория образования изъянов в жестком теле при воздействии частиц высочайшей энергии основывается на предположении о наличии 2-ух Тема №7 Радиационные воздействия на полупроводниковые изделия и имс процессов. 1-ый процесс состоит в том, что воздействующая частичка, передавая атому твердого тела энергию, выбивает его из узла кристаллической решетки. При всем этом появляется относительно устойчивый точечный недостаток: вакансия – междоузельный атом (пара Тема №7 Радиационные воздействия на полупроводниковые изделия и имс Френкеля). Вторичный процесс представляет собой взаимодействие выбитого из узла кристаллической решетки атома с примыкающими атомами. Он может развиваться при наличии у выбитого атома достаточной энергии для выбивания из узла решетки вторичного Тема №7 Радиационные воздействия на полупроводниковые изделия и имс атома. Этот процесс может перейти в каскад соударений, сопровождающийся образованием в кристаллической решетке разупорядоченных областей – кластеров. Области повреждений способны достигать размеров порядка .

Теоретические оценки демонстрируют, что смещение атомов в процессе упругого рассеяния палитра Тема №7 Радиационные воздействия на полупроводниковые изделия и имс – квантов на ядре маловероятно. При прохождении палитра – лучей через кристалл смещения происходят в главном при упругих столкновениях вторичных электронов с узловыми атомами. Сложность вычисления числа смещенных атомов при упругом Тема №7 Радиационные воздействия на полупроводниковые изделия и имс рассеянии электронов на ядрах разъясняется тем, что пробег электрона в веществе определяется в главном ионизационными потерями. В связи с этим нужен учет зависимости сечения смещения от энергии смещения (это энергия, нужная для Тема №7 Радиационные воздействия на полупроводниковые изделия и имс смещения атома в междоузелье).

В одном из приближений (нерелятивистском) поперечное сечение смещения атома с массой и зарядом при бомбардировке частичками с массой и зарядом равно

, (7.1)

где - энергия падающей частички, - радиус Бора , - неизменная Ридберга Тема №7 Радиационные воздействия на полупроводниковые изделия и имс .

На основании известного из (7.1) поперечного сечения смещения можно найти число первичных атомов, смещенных в единице объема

, (7.2)

где - интенсивность падающего излучения, - время, - число атомов в единице объема. В тех случаях, когда первичному атому передается энергия, большая , он Тема №7 Радиационные воздействия на полупроводниковые изделия и имс сам, как говорилось выше, может участвовать в следующих смещениях атомов. В итоге на каждый первично смещенный атом приходится в среднем некое число атомов, смещенных в течение каскадного процесса, инициированного Тема №7 Радиационные воздействия на полупроводниковые изделия и имс первичным атомом.

Первичные точечные недостатки, комплексы и локальные разупорядочения приводят к расширению кристаллической решетки и появлению механических напряжений. Рассмотренные недостатки оказывают существенное воздействие на электрофизические свойства начального полупроводникового материала, такие как время жизни Тема №7 Радиационные воздействия на полупроводниковые изделия и имс неосновных носителей заряда , удельное сопротивление , концентрацию неосновных носителей заряда , подвижность . Коротко разглядим зависимость обозначенных характеристик от облучения.

Время жизни неосновных носителей заряда является важной чертой полупроводниковых материалов, используемых для производства полупроводниковых устройств и Тема №7 Радиационные воздействия на полупроводниковые изделия и имс ИМС. В связи с тем, что время жизни неосновных носителей заряда определяется скоростью большой рекомбинации на ловушках и локальных центрах, эффективность рекомбинации и, соответственно, время жизни зависят как от концентрации ловушек Тема №7 Радиационные воздействия на полупроводниковые изделия и имс, так и от вероятности захвата неосновных носителей рекомбинационными центрами. Радиационные недостатки, образующие в нелегальной зоне полупроводника локальные энерго уровни, представляют собой действенные центры рекомбинации. Вследствие этого время жизни неосновных носителей очень чувствительно к воздействию Тема №7 Радиационные воздействия на полупроводниковые изделия и имс облучения.

Эмпирическое соотношение, подтвержденное экспериментально в достаточно широком спектре доз облучения, дает последующую количественную характеристику конфигурации времени жизни неосновных носителей заряда, зависимо от интегрального потока облучения:

, (7.3)

где - время жизни неосновных носителей после Тема №7 Радиационные воздействия на полупроводниковые изделия и имс облучения; - время жизни неосновных носителей до облучения; - радиационная константа, зависящая от удельного сопротивления начального материала, природы излучения и скорости введения радиационных изъянов; - интегральный поток излучения. Из выражения (7.3) следует, что с ростом интегрального Тема №7 Радиационные воздействия на полупроводниковые изделия и имс потока излучения, время жизни неосновных носителей заряда однообразно убывает.

Радиационные недостатки в начальных полупроводниковых материалах обуславливают уменьшение концентрации свободных носителей заряда, которая в кремнии, по мере роста дозы облучения, приближается Тема №7 Радиационные воздействия на полупроводниковые изделия и имс к своей. Экспериментально показано, что концентрация главных носителей заряда меняется зависимо от интегрального потока облучения в широком спектре доз по экспоненциальному закону

, (7.4)

где - концентрация электронов после облучения; - концентрация электронов до облучения; - неизменный коэффициент, связанный Тема №7 Радиационные воздействия на полупроводниковые изделия и имс с исходными чертами материала.

Подвижность неосновных носителей заряда в полупроводнике определяется рассеянием на термических колебаниях решетки (фононах), ионах примесей, дислокациях и других несовершенствах кристаллов. Радиационные недостатки, обычно, вызывают уменьшение подвижности.

Удельное сопротивление Тема №7 Радиационные воздействия на полупроводниковые изделия и имс (удельная проводимость) полупроводника связано с начальными чертами материала выражением

, (7.5)

где - соответственно удельная проводимость и сопротивление; - концентрация электронов и дырок; - подвижности электронов и дырок; - заряд электрона.

Образование радиационных изъянов типа центров захвата при облучении Тема №7 Радиационные воздействия на полупроводниковые изделия и имс содействуют уменьшению концентрации главных носителей заряда прямо до своей. Эти же недостатки понижают подвижность главных носителей, потому в согласовании с выражением (7.5), можно гласить, что удельное сопротивление полупроводникового материала должно возрости. Экспериментально установлена Тема №7 Радиационные воздействия на полупроводниковые изделия и имс экспоненциальная зависимость конфигурации удельного сопротивления полупроводниковых материалов и типов от интегрального потока излучения:

, (7.6)

где - соответственно удельное сопротивление полупроводника до и после облучения, - радиационная константа удельного сопротивления полупроводника. Выражение (7.6) получено при допущениях, что Тема №7 Радиационные воздействия на полупроводниковые изделия и имс изменение удельного сопротивления для кремния в главном обосновано конфигурацией концентрации носителей заряда и справедливо для материала типа в интервале при , и для материала типа в интервале при .

Повышение концентрации структурных Тема №7 Радиационные воздействия на полупроводниковые изделия и имс изъянов под воздействием радиации приводит в металлах, как и в случае полупроводникового материала, к повышению их удельного сопротивления.

^ 2. Воздействие излучения на характеристики полупроводниковых устройств и ИМС. Результатом конфигурации электрофизических характеристик начального полупроводникового материала при воздействии Тема №7 Радиационные воздействия на полупроводниковые изделия и имс является изменение электронных черт устройств. Для выявления высококачественной картины конфигураций, в допустимых границах упростим математические выражения, описывающие характеристики устройств.

Диоды. Основными чертами диодов являются: прямое падение напряжения, оборотный ток Тема №7 Радиационные воздействия на полупроводниковые изделия и имс и оборотное напряжение пробоя. Полное падение напряжения в прямом направлении можно представить в виде суммы 2-ух составляющих

, (7.7)

где - полное падение напряжения на диодике, - падение напряжения на области пространственного заряда, - падение напряжения в объеме базисной области. Используя Тема №7 Радиационные воздействия на полупроводниковые изделия и имс известное выражение для прямой ветки вольт – амперной свойства (ВАХ) диодика, можем записать:

, (7.8)

где - коэффициент, изменяющийся в границах от 1 до 2; - неизменная Больцмана; - абсолютная температура; - прямой ток через диодик; и - коэффициенты Тема №7 Радиационные воздействия на полупроводниковые изделия и имс фактически не зависящие от дозы облучения.

Из выражения (7.8) следует, что падение напряжения на области пространственного заряда в главном определяется одним параметром, зависящим от дозы облучения – временем жизни неосновных носителей . С повышением интегрального потока Тема №7 Радиационные воздействия на полупроводниковые изделия и имс облучения происходит уменьшение времени жизни неосновных носителей и падение напряжения на области пространственного заряда для 1-го и такого же прямого тока миниатюризируется.

Составляющая прямого падения напряжения в главном определяется удельным сопротивлением Тема №7 Радиационные воздействия на полупроводниковые изделия и имс базисной области:

. (7.9)

В связи с тем, что удельное сопротивление начального материала с ростом интегрального потока облучения возрастает, составляющая прямого падения напряжения на базисной области будет возрастать. Таким макаром, в связи с тем, что конфигурации составляющих Тема №7 Радиационные воздействия на полупроводниковые изделия и имс прямого падения напряжения при облучении и имеют различные знаки, на исходном участке ВАХ диодика, когда приложенное напряжение в главном падает на области пространственного заряда, суммарное прямое падение напряжения с ростом интегрального потока Тема №7 Радиационные воздействия на полупроводниковые изделия и имс облучения (при одном и том же токе) миниатюризируется (рис. 7.1.). При определенном значении прямого тока , абсолютные значения конфигураций составляющих прямого напряжения равны. В этой точке полное прямое падение напряжения на диодике Тема №7 Радиационные воздействия на полупроводниковые изделия и имс не находится в зависимости от интегрального потока облучения. Но в целом ровная ветвь ВАХ диодов под действием облучения, подвергается значимой трансформации, и при больших уровнях облучения практически вполне исчезают выпрямительные характеристики диодика Тема №7 Радиационные воздействия на полупроводниковые изделия и имс.

Оборотный ток диодика в главном состоит из 2-ух компонент

, (7.10)

г
де - диффузионная составляющая, обусловленная термогенерацией носителей в базисной области; - генерационно – рекомбинационная составляющая, обусловленная термогенерацией носителей в обедненном слое перехода.

В связи с тем, что Тема №7 Радиационные воздействия на полупроводниковые изделия и имс концентрация носителей в полупроводнике экспоненциально убывает с ростом интегрального потока облучения, зависимость диффузионной составляющей оборотного тока от потока излучения так же экспоненциальная

. (7.11)

Генерационно – рекомбинационная составляющая тока в главном определяется временем жизни неосновных носителей Тема №7 Радиационные воздействия на полупроводниковые изделия и имс заряда:

, (7.12)

где и - коэффициенты фактически не зависящие от дозы излучения, - собственная концентрация носителей в полупроводнике.

Из выражения (7.12) следует, что генерационно – рекомбинационная составляющая тока линейно увеличивается с ростом интегрального потока облучения, потому Тема №7 Радиационные воздействия на полупроводниковые изделия и имс что время жизни неосновных носителей заряда назад пропорциональна сгустку излучения. Таким макаром, беря во внимание выражения (7.11) и (7.12), получаем в (7.10) повышение оборотного тока диодика. Оборотный ток германиевых диодов, по сопоставлению с кремниевыми диодиками Тема №7 Радиационные воздействия на полупроводниковые изделия и имс, с ростом интегрального потока облучения меняется более резко.

Оборотное напряжение пробоя диодов в главном определяется удельным сопротивлением начального материала

, (7.13)

где - показатель степени, зависящий от нрава пробоя.

В связи с ростом удельного сопротивления при облучении из Тема №7 Радиационные воздействия на полупроводниковые изделия и имс (7.13) получаем, что пробивное напряжение так же растет, но из-за роста оборотного тока оборотная ветвь ВАХ диодика становится более пологой.

^ Биполярные транзисторы. Вместе с параметрами, определяемыми структурой перехода, основной чертой транзистора Тема №7 Радиационные воздействия на полупроводниковые изделия и имс являются его усилительные характеристики. С ростом интегрального потока облучения коэффициент усиления транзистора миниатюризируется. Скорость конфигурации усилительных параметров и нрав зависимости конфигурации коэффициента усиления от интегрального потока излучения в значимой степени определяются конструктивными особенностями Тема №7 Радиационные воздействия на полупроводниковые изделия и имс транзисторов, электронными режимами их работы и видом излучения.

В биполярных транзисторах воздействие -частиц приводит к появлению в переходах больших уровней ионизационных токов, связанных с тем, что концентрация в их неравновесных электронно Тема №7 Радиационные воздействия на полупроводниковые изделия и имс-дырочных пар, создаваемых повдоль трека -частицы, лежит в границах , что намного превосходит типовые значения концентрации главных носителей в эпитаксиальных слоях. Неравновесное рассредотачивание зарядов при ионизации содействует образованию нестационарных электронных полей, влияющих на Тема №7 Радиационные воздействия на полупроводниковые изделия и имс процесс “собирания” неравновесных носителей заряда перехода. Этот механизм получил заглавие эффекта образования воронки заряда.

^ Полевые транзисторы. Для полевых транзисторов при воздействии излучения из-за уменьшения концентрации главных носителей типично уменьшение наибольшего Тема №7 Радиационные воздействия на полупроводниковые изделия и имс тока меж истоком и стоком, уменьшение напряжения отсечки. Возрастание на поверхности раздела: диэлектрик – полупроводник концентрации поверхностных состояний вызывает повышение порогового напряжения, также уменьшение крутизны стокозатворной свойства. За счет образования изъянов в диэлектрике входное сопротивление транзистора Тема №7 Радиационные воздействия на полупроводниковые изделия и имс миниатюризируется пропорционально корню квадратному из значения величины интегрального потока излучения.

Особенностью комплементарных МДП-структур является наличие в их паразитных (тиристорных) структур. Ионизационные токи, возникающие в их под воздействием высокоэнергетических частиц, приводят к Тема №7 Радиационные воздействия на полупроводниковые изделия и имс эффекту “защелкивания”, при котором паразитный тиристор, имеющийся в схеме, переключается в проводящее состояние. Более эффектными способами борьбы с возникновением эффекта “защелкивания” паразитных тиристорных структур являются конструктивно-технологические. Применение окисной изоляции Тема №7 Радиационные воздействия на полупроводниковые изделия и имс, сапфировых и неких других диэлектрических подложек для сотворения ИМС с гальваническими развязанными активными структурами препятствует образованию паразитных тиристорных структур и исключает эффект защелкивания при воздействии -частиц и других ионизационных излучений. Технологические способы Тема №7 Радиационные воздействия на полупроводниковые изделия и имс, уменьшающие величину ионизационных токов, основаны на применении мер, содействующих уменьшению объемов, в каких генерируются и собираются лишниие носители.

^ Интегральные микросхемы. Они представляют собой функционально законченные схемотехнические блоки в гибридном либо цельном выполнении, активные Тема №7 Радиационные воздействия на полупроводниковые изделия и имс элементы которых выполнены на базе переходов либо МДП – структур. Потому все рассмотренные эффекты в диодиках, полевых и биполярных транзисторах присущи интегральным микросхемам. Но процессы, протекающие в их под воздействием излучения, существенно труднее Тема №7 Радиационные воздействия на полупроводниковые изделия и имс и определяются не только лишь переменами черт начальных материалов, диодных и транзисторных структур, да и, в значимой степени, топологией интегральной микросхемы, ее схемотехническим предназначением и выходными параметрами.

Вследствие воздействия излучения Тема №7 Радиационные воздействия на полупроводниковые изделия и имс нарушается обычная работа всей микросхемы: понижается помехоустойчивость, ухудшаются шумовые и переключающие свойства, сужается спектр устойчивой работы при изменении напряжения питания, для цифровых микросхем типично изменение уровней нуля и единицы, неуравновешенная работа переключающих частей и Тема №7 Радиационные воздействия на полупроводниковые изделия и имс т.д. Но в ИМС в наименьшей степени, чем в дискретных устройствах появляются поверхностные эффекты, потому что в при их производстве употребляются кропотливо контролируемая защитная окисная изоляция и уменьшенная геометрия Тема №7 Радиационные воздействия на полупроводниковые изделия и имс частей схем.

Для ИМС памяти большой емкости в 1978 г. было найдено явление, нареченное “мягенькой ошибкой” либо восстанавливаемым сбоем, которое заключается в изменении состояния частей памяти без образования устойчивых изъянов в структуре прибора Тема №7 Радиационные воздействия на полупроводниковые изделия и имс. При всем этом состояние элемента памяти (1 либо 0) восстанавливается в динамическом запоминающем устройстве (ЗУ) при следующем цикле регенерации и в статическом ЗУ при перезаписи инфы. Было показано, что возможность появления сбоя в данной ячейке не находится Тема №7 Радиационные воздействия на полупроводниковые изделия и имс в зависимости от предшествующего состояния ячейки, т.е. гласит о том, что в элементе, в каком возни сбой, остаточные недостатки после восстановления отсутствуют. Для устранения появления в ИМС эффекта Тема №7 Радиационные воздействия на полупроводниковые изделия и имс “мягенькой ошибки” употребляются конструктивно-технологические способы, подобные способам, используемым для борьбы с появлением эффекта “защелкивания”.


Контрольные вопросы

  1. Что такое поток ионизирующих частиц?

  2. Чему равна доза излучения один рентген?

  3. Как повлияет проникающая радиация на электрофизические характеристики начальных Тема №7 Радиационные воздействия на полупроводниковые изделия и имс материалов?

  4. Как зависит время жизни неосновных носителей заряда от интегрального потока облучения?

  5. Как зависит концентрация главных носителей заряда от интегрального потока облучения?

  6. Как меняется ВАХ диодика при воздействии облучения?

  7. Как оказывает влияние Тема №7 Радиационные воздействия на полупроводниковые изделия и имс облучение на характеристики биполярных транзисторов?

  8. Как оказывает влияние облучение на характеристики полевых транзисторов?

  9. Как оказывает влияние облучение на характеристики ИМС?

  10. Какие есть способы борьбы с эффектами “защелкивания” и “мягенькой ошибки”?





tema-8-istoricheskie-metodi-v-nauchnom-istoricheskom-issledovanii.html
tema-8-kinetika-diffuzionnih-processov-v-tverdih-telah-opredelenie-diffuzii-pervoe-i-vtoroe-uravneniya-fika.html
tema-8-konstitucionno-pravovoj-status-inostrannih-grazhdan-uchebno-metodicheskij-kompleks-po-discipline-konstitucionnoe.html